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FEI “Q系列”掃描電子顯微鏡

產(chǎn)品簡介

對于失效分析、質(zhì)量控制和材料表征而言、Q25是最經(jīng)濟(jì)、最高效的高分辨成像和分析應(yīng)用的解決方案。在設(shè)計上側(cè)重易用性、Q25可以讓用戶迅速得到他們所需的數(shù)據(jù)。 

為應(yīng)對不導(dǎo)電樣品、Q25提供了低真空模式下的高性能、消除了對專用的樣品制備步驟或者附加的樣品鍍膜儀的需求。Q25樣品室的設(shè)計和真空系統(tǒng)能夠快速更換樣品、允許日常高效、快速檢測樣品。 

為滿足客戶對大樣品或塊狀樣品的要求、Q45提供了更大的真空樣品室和100mm的樣品臺行程。另外、Q45加上了環(huán)境掃描（ESEM）模式、擴(kuò)展了SEM的成像和分析功能到加熱、含水或放氣的樣品。

? 簡單易用，即使是新手利用直觀的軟件可實現(xiàn)高效操作。 
? 利用穩(wěn)定的高束流（上至2 μA）電子束可以迅速獲得精確的分析結(jié)果。 
?快速輕松表征導(dǎo)電和非導(dǎo)電樣品 
? 支持可選的分析功能。利用獨有的多級穿過透鏡的真空系統(tǒng)在高真空和低真空下使導(dǎo)電樣品和不導(dǎo)電樣品的精確EDS分析成為可能。 
? Q45 SEM: 采用為ESEM選配的帕爾貼冷臺可在樣品的自然含水狀態(tài)下完成樣品的動態(tài)原位分析。


分辨率 加速
電壓 		探針電流 樣品臺 放大率 試件室尺寸
Q25 SEM

High vacuum 

  • 3.0 nm at 30 kV (SE)

  • 4.0 nm at 30 kV (BSE)*

  • 8.0 nm at 3 kV (SE)

Low vacuum

  • 3.0 nm at 30 kV (SE)

  • 4.0 nm at 30k V (BSE)*

  • 10 nm at 3 kV (SE)

*optional

200 V - 30 kV up to 2 μA, continuously adjusted 13 to 1000000x 284 mm size left to right
Q45 SEM

High vacuum 

  • 3.0 nm at 30 kV (SE)

  • 4.0 nm at 30 kV (BSE)*

  • 8.0 nm at 3 kV (SE)

High vacuum with beam deceleration option 7.0 nm at 3 kV(BD mode* + vCD*) 

Low vacuum

  • 3.0 nm at 30 kV (SE)

  • 4.0 nm at 30k V (BSE)*

  • 10 nm at 3 kV (SE)

Extended vacuum mode (ESEM)
3.0 nm at 30 kV (SE) 

*optional

200 V - 30 kV up to 2 μA, continuously adjusted 6 to 1000000x 284 mm size left to right
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